Азбука схемотехники РЭС


Полевой транзистор. - часть 3


При больших напряжениях коллектора ток стягивается в узкую область, что приводит к существенному изменению активной площади p-n перехода, в результате чего увеличивается тепловое сопротивление. Если игнорировать это явление, то уже при относительно небольших мощностях может произойти сильное сужение тока в структуре и резкое повышение её температуры в области прохождения тока до температуры плавления, что вызывает разрушение транзистора. Генераторы тока на ПТ предельно просты. (см. раздел 3)
По принципу действия и технологии изготовления ПТ можно разделить на 2 группы:
- ПТ с управляющим p-n переходом и барьером Шотки;
- ПТ с изолированным затвором со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП - транзистор), иногда его называют МОП - транзистором (металл - окисел - полупроводник).
В свою очередь ПТ с изолированным затвором подразделяются на:
- с индуцированным каналом (обогащённого типа);
- со встроенным каналом (обеднённого типа).
В настоящее время выпускается большое количество ПТ разного типа:
- канал проводимости обогащённого типа;
- канал проводимости обеднённого типа;
- переход PN;
- переход NP;
- P - канал на подложке;
- N - канал на подложке;
- затвор изолированный.
Облегчить задачу выбора ПТ в зависимости от их конструкции и технологии изготовления поможет таблица , в которой приведены характерные структуры ПТ, их режимы работы и полярность напряжений на электродах транзистров относительно истока:

Ниже показаны условные графические обозначения ПТ с изолированой подложкой и подложкой, имеющей электрическое соединение с истоком, соответственно (соединение внутри символа показывают без точки):

Статические стоко - затворные характеристики основных трёх типов ПТ:

Характерной особенностью ПТ с управляющим p-n переходом, а также с изолированным затвором и встроенным каналом является наличие начального тока стока Iс нач при отсутствии управляющего сигнала на затворе и при условии Uси нас <= Uси = const,
где Uси нас - напряжение "сток - исток" на границе области насыщения.



- Начало -  - Назад -  - Вперед -