Азбука схемотехники РЭС


Полевой транзистор. - часть 4


В ПТ с управляющим p-n переходом управляющая цепь отделена от канала обратно - смещённым p-n переходом (поляризованном в направлении запирания pn- или np- переходом), при этом канал расположен в объёме полупроводника и существует при нулевом напряжении на затворе, т.е. является встроенным каналом.
В силу конструктивных особенностей транзисторов с управляющим p-n переходом они обычно работают в режиме обеднения проводящего канала, т.е. при подаче запирающего напряжения на затвор. При этом электропроводность канала ПТ уменьшается и не превышает Iс нач, таким образом проводимость достигается инвертированием электрического поля:

Применение металлического затвора создаёт с полупроводником канала выпрямляющий контакт (диод Шотки) и позволяет существенно уменьшить рамеры структуры. Использование арсенида галлия, имеющего в два раза большую скорость движения носителей заряда, чем в кремнии, а также очень мелкое залегание в толще кристалла управляющего барьера Шотки (в сравнении с управляющим p-n переходом), позволяющее получить малую ёмкость Сзс , резко повышает диапазон рабочих частот транзистора.
Входная вольт - амперная характеристика ПТ с управляющим p-n переходом и каналом n - типа показаны на рисунке:

Её можно представить как состоящую из двух частей:
- область нарастания или "омическая" область;
- область насыщения.
В первой области канал "сток - исток" ведёт себя как резистор, управляемый напряжением "затвор - исток" (см. ниже). В области насыщения, напротив, ток стока практически не зависит от напряжения на затворе, благодаря чему ПТ прибритает свойства усилительного элемента.
Напряжение отсечки определяют с помощью вольтметра при Iст = 10мкА, плавно перемещая движок резитора из нижнего положения в верхнее:

В МДП -транзисторах с изолированным затвором и индуцированным каналом при отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком практически отсутствует (т.е. нормально закрытый прибор). Транзисторы с индуцированным каналом работают в режиме обогащения.


- Начало -  - Назад -  - Вперед -