Азбука схемотехники РЭС


Полевой транзистор. - часть 5


При подаче на затвор транзистора с индуцированным каналом некоторого порогового напряжения Uзи пор и более, совпадающего по знаку со знаком основных носителей, на поверхности полупроводника индуцируется заряд противоположного знака, т.е. тип проводимости приповерхностного слоя полупроводника инвертируется и происходит формирование проводящего канала, сопровождающегося ростом тока стока:

Конструктивным вариантом ПТ является двухзатворный транзистор - МДП - тетрод:

Прибор можно представить в виде двух последовательно соединённых (каскодное включение) транзисторов:

Управляющим является первый затвор. Второй затвор, действуя как электростатический экран, уменьшает проходную ёмкость прибора (эффект миллера). Возможность работы на более высоких частотах - основное приемущество тетрода по сравнению с МДП - транзистором. Кроме того, тетрод существенно упрощает конструирование смесительных устройств.
Примерами промышленных образцов являются транзисторы КП306 и КП350 - МДП - тетроды со встроенным (индуцированным) каналом n - типа и двумя затворами, предназначенные для высокочастотных каскадов радиоприёмных устройств. При необходимости второй затвор (как экранирующую сетку пентода) мржно использовать в качестве второго управляющего электрода, например, в схеме преобразователя (смесителя ) частоты.
Мощные V - МДП - транзисторы являются быстроразвивающимся классом твёрдотельных приборов. Вид передаточной характеристики транзисторов с вертикальным V - обраным каналом (КП 909, КП911, КП 912, КП913 ,КП922 и др.) отличается от аналогичной для приборов с горизонтальным каналом (КП901, КП902, КП904, КП905, КП908 и др.) наличием отчётливо заметного загиба не только в верхней, но и в нижней части кривой Iс (Uзи) при U си=const. Передаточные характеристики отечественных V - МДП - транзисторов почти симметричны относительно точки перегиба (Us, Is). В качестве примера показана передаточная характеристика транзистора КП913 при Uси=60В:

Благодаря автоматическому ограничению тока стока и относительно малому (до 20%) разбросу крутизны, эти транзисторы можно включать параллельно с достаточно равномерным распределением тока между ними.


- Начало -  - Назад -  - Вперед -