Азбука схемотехники РЭС


Полевой транзистор. - часть 9


В отличии от схемы Бейкера (см.раздел 1), где уменьшение рассасывания обусловлено стабилизацией коэффициента насыщения, в данной схеме введено форсированное рассасывание VT3 с помощью дополнительного транзистора VT4, на вход которого через дифференцирующую цепь C1R4 подаются импульсы инвертированного входного ШИМ сигнала, открывающие его в момент окончания входного импульса. В результате время рассасывания существенно уменьшается.
Такая схема позволяет получить высокую линейность ШИМ - регулирования при малой параметрической чувствительности, т.е. зависимости Uвых и КПД от изменения рабочей температуры, питания, нагрузки, замены транзисторов и т.д.
Применение полевых транзисторов позволяет значительно упростить схемотехнику.
Применение МПТ в импульсных регуляторах напряжения с гальванической связью входа и выхода позволяет получить КПД до 0.95 при частоте ШИМ - регулирования 20...50 кГц и до 0.6...0.8 - при частоте 100...500 кГц, что перспективно для малогабаритных ИВЭП:

Применение "вольтдобавки" позволяет использовать ПТ при сравнительно небольшой разнице между входным и выходным напряжением:

Эмиттерный повторитель на транзисторе VT1 ускоряет процесс включения, а диод VD2 - процесс выключения (разряд входной ёмкости VT2):

НОМЕ




- Начало -  - Назад -  - Вперед -